采用谐振变换技术，生产出48V/200A开关电源，工作频率最高时达450kHz，从功率容量、指标、体积、质量等方面，目前都称得上是新一代大功率开关电源。由于IBGT和VMOS管具有多种优点，并在多种领域内得到了广泛应用，下面将对两种晶体管的特点及组合给以简要介绍。ups电源的主要优点
(1)具有极高的输入阻抗。VMOS管是电压控制器件，栅极和源极间由SiO。层绝缘，直流电阻非常大，达10°0～10"1，流过的漏电流极小，基本上不需要驱动功率，驱动电流一般在0.1μA，输出电流可达数十安培。而双极型品体管是电流控制器件，要得到所需要的集电极电流，必须保证相应的基极电流：4=1./。实际工作中，VMOS管的激励电流就是对栅源输入电容的充电电流。一般10A的管子输入电容C=500pF激励电流很小，所以驱动电路可极大地简化。
(2)开关速度高、高频特性好。不像双极性晶体管那样，存在着少量的存储延迟时间，VMOS管开关时间基本上取决于器件本身的输入电阻和输入电容。一般VMOS管开关时间为10ns-100ns，比双极型功率器件要快得多，可极大地减少开关损耗，提高工作频率。
(3)线性好、失真小。由于VMOS管的沟道为1um～2μm，当栅源电压Us上升到一定值后，跨导g。为恒定值，不随电流的大小而改变，具有高度的线性，因此，信号经过放大后失真很小。
(4)不存在二次击穿现象。对于双极型功率器件来说，为了防止二次击穿，管子的功耗必须在安全工作区间曲线所规定的工作范围之内，在高电压下工作时，必须减少额定功率来应用。而VMOS管电流的温度系数为负值，不存在局部热源集中现象，所以，避免了二次击穿，具有一个稳定的安全工作区间。
(5)多管并联，可扩大输出容量。VOMS管的漏源电流呈负温度特性，例如，某管芯电流增加时，其工作温度随之升高而电阻增大，进而限制了电流的增大。因而，具有很好的电流自动调节能力和均匀的温度分布能力，不会造成热集中，所以，VMOS管可多只并联，扩大输出容量，不需要加均流电阻等。
ups电源器件的缺点是：开关输出脉冲后沿有约1ps长的电流拖尾现象，不但限制了工作效率，且造成一定的开关损耗，一般IGBT器件的工作频率在30kHz以下。目前，发达国家已研制出高速1GBT，而且已经应用在很多领域，工作频率可做到60kHz，甚至更高。如果采用电路软开关技术，便可以克服拖尾电流，使开关频率大幅度提高。由于市场需求的推动，IGBT模块更新换代非常快，IGBT的第三代的饱合压降和导通损耗分别是第一代的65%和60%，并实现超快软恢复特性，600V级T。=110ns，这对提高开关速度、降低开关损耗有利，能经受10倍额定电流的冲击10ps，封装体积缩小了40%，达94mm×48mm×30mm。ups电源由于VMOS管和IGBT管是电压控制器件，驱动功率很小，因此可采用TTL、CMOS、线性集成电路直接驱动，也可以采用脉冲变压器耦合及其他多种驱动。采用TTL和CMOS集成电路驱动时，为了减小开关上升和下降时间，往往在TTL或CMOS集成电路与VMOS(或IGBT)管之间加射极跟随器。主电路形式及控制方式不同，应选用不同的驱动方式。ups电源从而造成很大通态损耗。IGBT管因关断后电流的拖尾现象，关断损耗也不可忽视，若将VMOS管和IGBT管组合应用，便可克服它们损耗大的缺点。VMOS管和IGBT管并联应用如图3-31(a)所示。并联开关在导通过程中只需IGBT管起作用，导通损耗小，而在关断过程中只需VMOS管起作用，关断损耗小。因此并联开关的总损耗小于单独采用VMOS管和IGBT管。ups电源在控制信号前沿到来时，两管同时导通，因VMOS管比IG-BT管导通电阻大，大部分工作电流流经ICBT管。在并联开关进入关断过程，由于关断延迟电路作用，在延迟时间T。(lμs～1.5μs)内，VMOS管仍继续导通，而IGBT已关断，仅存在拖尾电流。在T。之后，IGBT完全关断，电流全部通过VMOS管。在控制信号下降沿到来时，VMOS管关断，关断开关工作波形图如图3-31(b)所示。
ups电源功率变换的核心所要做的全部工作，只要给这个系统添加外围部件，就成了一台指定的功率变换装置。如果用分立部件组装一台同样的装置，无疑在体积、成本、可靠性、生产周期等方面都不能与前者相比。ups电源高频整流管及高频电解电容器，由于普通整流二极管在高频反向恢复时间长和正向压降大，因而反向恢复时间短(可达50ns)和正向压降小(100V下可达0.35V)的肖特基二极管。肖特基二极管无需加均流电阻，可通过并联扩容。
ups电源使用的普通铝或钮电解电容器，在10kHz以上的高频使用时，由于寄生参量的作用，随着频率的提高而容量下降，不能用于滤波，必须在结构上做一些改进，如采用所谓四端电解电容器。较好的办法是采用聚丙烯电介质电容器，这种电容器适用频率范围和温度范围宽。
在0Hz～100kHz频率范围内，电容器的额定值仅降5%。在+25℃～-40℃范围内，电容器的额定值仅降9%。实践表明，作为滤波时，其抑制纹波能力要比铝电解电容器强3倍～10倍，因而可用小容量的聚丙乙烯电容器代替大容量的铝电解电容器。